靜電造成微電子電路損傷的模式
發(fā)布時(shí)間:2014-5-10 17:10:23 點(diǎn)擊量： 次
靜電放電造成微電子電路損傷的模式金屬布線與擴(kuò)散區(qū)(或多晶)接觸孔產(chǎn)生火花，使金屬和硅的歐姆接觸被破壞。
使節(jié)點(diǎn)的溫度超過半導(dǎo)體硅的熔點(diǎn)(1415℃)時(shí),使硅熔解，產(chǎn)生再結(jié)晶，造成器件短路。金屬化電極和布線熔解、“球化”，造成電路開路。大電流流過PN結(jié)產(chǎn)生焦耳熱，使結(jié)溫升高，形成“熱斑”或“熱奔”，導(dǎo)致器件損壞靜電放電引發(fā)的瞬時(shí)大電流(靜電火花)引燃引爆易燃、易爆氣體混合物或電火工品，造成意外燃燒、爆炸事故。
靜電放電使人體遭受電擊引發(fā)操作失誤造成二次事故、靜電場的庫侖力作用使紡織、印刷、塑料包裝等自動(dòng)化生產(chǎn)線受阻。第三類靜電危害是由于靜電放電的電磁輻射或靜電放電電磁脈沖(ESDEMP)對電子設(shè)備造成的電磁干擾引發(fā)的各種事故。
一般說來，靜電放電都是在微秒或鈉秒量級完成的，因此這一過程是一種絕熱過程，放電瞬間通過回路的大電流，形成局部的高溫?zé)嵩?。對微電子器件而言，其靜電放電能量通過器件集中釋放，其平均功率可達(dá)幾千瓦，熱量很難從功率耗散面向外擴(kuò)散，因而在器件內(nèi)形成大的溫度梯度，造成局部熱損傷，電路性能變壞或失效。
